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IS42S32160F-6BL

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 240

数量 单价 合计
1+ 92.10480 92.10480
200+ 35.64804 7129.60940
500+ 34.39742 17198.71150
1000+ 33.77736 33777.36600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥92.10480
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8,555.53
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 技术 同步动态随机存取内存
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 存储容量 512Mb (16M x 32)
  • 访达时期 5.4 ns
  • 包装/外壳 90-TFBGA
  • 供应商设备包装 90-TFBGA (8x13)
  • 时钟频率 167兆赫

IS42S32160F-6BL 产品详情

IS42S32160F-6BL所属分类:存储器,IS42S32160F-6BL 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS42S32160F-6BL价格参考¥92.104801,你可以下载 IS42S32160F-6BL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS42S32160F-6BL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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