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IS43LD16128B-25BL-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2000

数量 单价 合计
1+ 68.23784 68.23784
200+ 26.41024 5282.04860
500+ 25.48541 12742.70550
1000+ 25.02299 25022.99500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥68.23785
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥50,045.99
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TC)
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 存储容量 2Gb (128M x 16)
  • 时钟频率 400兆赫
  • 技术 SDRAM-移动LPDDR2-S4
  • 包装/外壳 134-TFBGA
  • 供应商设备包装 134-TFBGA (10x11.5)
  • 电源电压 1.14伏~1.95伏

IS43LD16128B-25BL-TR 产品详情

IS43LD16128B-25BL-TR所属分类:存储器,IS43LD16128B-25BL-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43LD16128B-25BL-TR价格参考¥68.237845,你可以下载 IS43LD16128B-25BL-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43LD16128B-25BL-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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