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IS41LV16105D-50TLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 50-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
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  • 得捷
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 访达时期 25纳秒
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 存储容量 16Mb (1M x 16)
  • 供应商设备包装 50-TSOP II
  • 包装/外壳 50-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width), 44 Leads
  • 技术 DRAM-FP

IS41LV16105D-50TLI 产品详情

IS41LV16105D-50TLI所属分类:存储器,IS41LV16105D-50TLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS41LV16105D-50TLI价格参考¥16.429794,你可以下载 IS41LV16105D-50TLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS41LV16105D-50TLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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