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IS42SM32160E-75BLI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
1+ 80.25014 80.25014
200+ 31.05541 6211.08380
500+ 29.97294 14986.47250
1000+ 29.42645 29426.45400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥80.25014
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥73,566.14
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 技术 SDRAM-移动
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 访达时期 6 ns
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 存储容量 512Mb (16M x 32)
  • 包装/外壳 90-TFBGA
  • 供应商设备包装 90-TFBGA (8x13)

IS42SM32160E-75BLI-TR 产品详情

IS42SM32160E-75BLI-TR所属分类:存储器,IS42SM32160E-75BLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS42SM32160E-75BLI-TR价格参考¥80.250144,你可以下载 IS42SM32160E-75BLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS42SM32160E-75BLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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