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IS43QR16512A-083TBLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(10x14)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 136

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1+ 156.08632 156.08632
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 包装/外壳 96英尺
  • 工作温度 -40摄氏度~95摄氏度(TC)
  • 技术 SDRAM-DDR4
  • 时钟频率 1.2千兆赫
  • 电源电压 1.14伏~1.26伏
  • 存储容量 8Gb (512M x 16)
  • 供应商设备包装 96-TWBGA(10x14)
  • 访达时期 19纳秒

IS43QR16512A-083TBLI 产品详情

IS43QR16512A-083TBLI所属分类:存储器,IS43QR16512A-083TBLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43QR16512A-083TBLI价格参考¥156.086320,你可以下载 IS43QR16512A-083TBLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43QR16512A-083TBLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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