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IS61NVP409618B-250B3L

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 144

数量 单价 合计
1+ 868.57434 868.57434
200+ 336.12367 67224.73440
500+ 324.32156 162160.78100
1000+ 318.47830 318478.30900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥868.57434
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥125,074.71
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 时钟频率 250兆赫
  • 包装/外壳 165-TBGA
  • 供应商设备包装 165-TFBGA (13x15)
  • 电源电压 2.375伏~2.625伏
  • 访达时期 2.8纳秒
  • 存储容量 72Mb (4M x 18)

IS61NVP409618B-250B3L 产品详情

IS61NVP409618B-250B3L所属分类:存储器,IS61NVP409618B-250B3L 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61NVP409618B-250B3L价格参考¥868.574341,你可以下载 IS61NVP409618B-250B3L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61NVP409618B-250B3L规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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