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70T3599S133BFI8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 访达时期 4.2纳秒
  • 存储容量 4.5Mb (128K x 36)
  • 技术 SRAM-双端口,同步
  • 电源电压 2.4伏~2.6伏
  • 包装/外壳 208磅
  • 供应商设备包装 208-CABGA (15x15)

70T3599S133BFI8 产品详情

70T3599S133BFI8所属分类:存储器,70T3599S133BFI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。70T3599S133BFI8价格参考¥1484.377309,你可以下载 70T3599S133BFI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询70T3599S133BFI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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