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IS61NLP25636B-200TQLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 72

数量 单价 合计
1+ 99.23020 99.23020
200+ 38.40152 7680.30460
500+ 37.05631 18528.15650
1000+ 36.38370 36383.70900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥99.23021
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7,144.57
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 200兆赫
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 包装/外壳 100-LQFP
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 存储容量 9Mb(256K x 36)
  • 访达时期 3.1 ns
  • 供应商设备包装 100-LQFP(14x20)

IS61NLP25636B-200TQLI 产品详情

IS61NLP25636B-200TQLI所属分类:存储器,IS61NLP25636B-200TQLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61NLP25636B-200TQLI价格参考¥99.230207,你可以下载 IS61NLP25636B-200TQLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61NLP25636B-200TQLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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