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IS61VPS204836B-250B3L-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2000

数量 单价 合计
1+ 820.30444 820.30444
200+ 317.44838 63489.67660
500+ 306.29785 153148.92950
1000+ 300.78039 300780.39900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥820.30445
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥601,560.80
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 存储容量 72Mb (2M x 36)
  • 时钟频率 250兆赫
  • 包装/外壳 165-TBGA
  • 供应商设备包装 165-TFBGA (13x15)
  • 电源电压 2.375伏~2.625伏
  • 访达时期 2.8纳秒

IS61VPS204836B-250B3L-TR 产品详情

IS61VPS204836B-250B3L-TR所属分类:存储器,IS61VPS204836B-250B3L-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61VPS204836B-250B3L-TR价格参考¥820.304446,你可以下载 IS61VPS204836B-250B3L-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61VPS204836B-250B3L-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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