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IS61QDP2B21M36A-333M3L

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 105

数量 单价 合计
1+ 514.71072 514.71072
200+ 199.18556 39837.11320
500+ 192.18627 96093.13700
1000+ 188.72866 188728.66500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥514.71072
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥54,044.63
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 时钟频率 333兆赫
  • 存储容量 36Mb (1M x 36)
  • 包装/外壳 165-LBGA
  • 电源电压 1.71V~1.89V
  • 访达时期 8.4 ns
  • 供应商设备包装 165-LFBGA (15x17)
  • 技术 SRAM-同步,QUADP

IS61QDP2B21M36A-333M3L 产品详情

IS61QDP2B21M36A-333M3L所属分类:存储器,IS61QDP2B21M36A-333M3L 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61QDP2B21M36A-333M3L价格参考¥514.710720,你可以下载 IS61QDP2B21M36A-333M3L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61QDP2B21M36A-333M3L规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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