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M25P80-VMN6P

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO
  • 品牌: 镁光 (Micron)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 191

  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.48820
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,812.25
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规格参数

  • 存储类型 Non-Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 储存接口 串行外设接口
  • 存储格式 FLASH
  • 访达时期 -
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 技术 FLASH-NOR
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 存储容量 8Mb (1M x 8)
  • 制造厂商 镁光 (Micron)
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 时钟频率 75 MHz
  • 单字、单页写入耗时 15ms, 5ms

M25P80-VMN6P 产品详情

The M25P80-VMN6P is an 8MB (1Mb x 8) serial flash embedded memory device in 8 pin NSOIC package. It features advanced write protection mechanism accessed by high speed SPI compatible bus. The device supports high performance commands for clock frequency up to 75MHz. The memory can be programmed 1 to 256 bytes at a time using PAGE PROGRAM command. It is organized as 16 sectors each containing 256 pages. Each page is 256bytes wide. Memory can be viewed either as 4096 pages or as 1,048,576bytes. The entire memory can be erased using BULK ERASE command or it can be erased one sector at a time using SECTOR ERASE command.

Feature

  • Single supply voltage range from 2.7V to 3.6V
  • Page program (up to 256bytes) in 0.64ms
  • Sector erase of 512KB in 0.6s
  • Bulk erase of 8MB in 8s
  • Hardware write protection, protected area size defined by nonvolatile bits BP0, BP1, BP2
  • Deep power down of 1µA
  • JEDEC standard 2byte signature (2014h)
  • More than 100000 write cycles per sector and more than 20 years data retention
  • Operating temperature range from -40°C to 85°C
M25P80-VMN6P所属分类:存储器,M25P80-VMN6P 由 镁光 (Micron) 设计生产,可通过久芯网进行购买。M25P80-VMN6P价格参考¥9.488199,你可以下载 M25P80-VMN6P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询M25P80-VMN6P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

镁光 (Micron)

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