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EM63B165TS-5SG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II
  • 品牌: 钰创 (Etron)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 存储容量 512Mb (32M x 16)
  • 时钟频率 200兆赫
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 技术 同步动态随机存取内存
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 包装/外壳 54-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 54-TSOP II
  • 单字、单页写入耗时 10ns
  • 制造厂商 钰创 (Etron)
  • 访达时期 4.5纳秒

EM63B165TS-5SG 产品详情

EM63B165TS-5SG所属分类:存储器,EM63B165TS-5SG 由 钰创 (Etron) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EM63B165TS-5SG价格参考¥48.517000,你可以下载 EM63B165TS-5SG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EM63B165TS-5SG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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钰创 (Etron)

Etron Technology是一家总部位于台湾的无晶圆厂DRAM供应商,成立于1991年,专注于为传统DRAM产品和增值DRAM提供客户解决方案,这些DRAM针对形状因素驱动的应用进行了优化,尤其是...

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