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IS66WVC4M16EALL-7010BLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TC)
  • 存储格式 PSRAM
  • 技术 PSRAM(伪SRAM)
  • 单字、单页写入耗时 70ns
  • 访达时期 70 ns
  • 包装/外壳 54-VFBGA
  • 存储容量 64Mb (4M x 16)
  • 供应商设备包装 54-VFBGA (6x8)

IS66WVC4M16EALL-7010BLI 产品详情

IS66WVC4M16EALL-7010BLI所属分类:存储器,IS66WVC4M16EALL-7010BLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS66WVC4M16EALL-7010BLI价格参考¥43.836928,你可以下载 IS66WVC4M16EALL-7010BLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS66WVC4M16EALL-7010BLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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