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IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
1+ 8.03744 8.03744
2500+ 7.85492 19637.31250
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥23,564.78
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 20兆赫
  • 存储容量 2Mb (256K x 8)
  • 电源电压 2.2伏~3.6伏
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 储存接口 SPI - Quad I/O, SDI, DTR

IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR 产品详情

IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR所属分类:存储器,IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR价格参考¥8.037446,你可以下载 IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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