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IS61NLP25636A-200B3LI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2000

数量 单价 合计
1+ 106.99668 106.99668
200+ 41.40722 8281.44500
500+ 39.95692 19978.46050
1000+ 39.23176 39231.76900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥106.99669
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥78,463.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 200兆赫
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 包装/外壳 165-TBGA
  • 供应商设备包装 165-TFBGA (13x15)
  • 存储容量 9Mb(256K x 36)
  • 访达时期 3.1 ns

IS61NLP25636A-200B3LI-TR 产品详情

IS61NLP25636A-200B3LI-TR所属分类:存储器,IS61NLP25636A-200B3LI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61NLP25636A-200B3LI-TR价格参考¥106.996689,你可以下载 IS61NLP25636A-200B3LI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61NLP25636A-200B3LI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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