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IS61QDPB41M36A1-400B4LI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 144

数量 单价 合计
1+ 539.49199 539.49199
200+ 208.78069 41756.13840
500+ 201.44509 100722.54850
1000+ 197.81933 197819.33800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥539.49200
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥77,686.85
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 400兆赫
  • 存储容量 36Mb (1M x 36)
  • 电源电压 1.71V~1.89V
  • 包装/外壳 165-TBGA
  • 供应商设备包装 165-TFBGA (13x15)
  • 访达时期 8.4 ns
  • 技术 SRAM-同步,QUADP

IS61QDPB41M36A1-400B4LI 产品详情

IS61QDPB41M36A1-400B4LI所属分类:存储器,IS61QDPB41M36A1-400B4LI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61QDPB41M36A1-400B4LI价格参考¥539.491998,你可以下载 IS61QDPB41M36A1-400B4LI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61QDPB41M36A1-400B4LI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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