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IS45S32400F-6TLA2

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 108

数量 单价 合计
1+ 61.80606 61.80606
200+ 23.91950 4783.90060
500+ 23.07874 11539.37400
1000+ 22.66887 22668.87900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥61.80606
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6,675.05
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 技术 同步动态随机存取内存
  • 时钟频率 166兆赫
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 工作温度 -40摄氏度~105摄氏度(TA)
  • 访达时期 5.4 ns
  • 包装/外壳 86-TFSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 86-TSOP II
  • 存储容量 128Mb (4M x 32)

IS45S32400F-6TLA2 产品详情

IS45S32400F-6TLA2所属分类:存储器,IS45S32400F-6TLA2 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS45S32400F-6TLA2价格参考¥61.806063,你可以下载 IS45S32400F-6TLA2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS45S32400F-6TLA2规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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