久芯网

IS61QDB21M18A-250B4LI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 144

数量 单价 合计
1+ 232.91038 232.91038
200+ 90.13953 18027.90700
500+ 86.96568 43482.84050
1000+ 85.41028 85410.28300
  • 库存: 0
  • 单价: ¥232.91038
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥33,539.10
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 包装/外壳 165-LBGA
  • 时钟频率 250兆赫
  • 电源电压 1.71V~1.89V
  • 存储容量 18Mb (1M x 18)
  • 供应商设备包装 165-LFBGA (13x15)
  • 技术 SRAM-同步,QUAD

IS61QDB21M18A-250B4LI 产品详情

IS61QDB21M18A-250B4LI所属分类:存储器,IS61QDB21M18A-250B4LI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61QDB21M18A-250B4LI价格参考¥232.910384,你可以下载 IS61QDB21M18A-250B4LI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61QDB21M18A-250B4LI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部