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IS62C5128BL-45QLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 存储容量 4Mb (512K x 8)
  • 包装/外壳 32-SOIC(0.445“,11.30毫米宽)
  • 供应商设备包装 32-SOP
  • 单字、单页写入耗时 45ns
  • 访达时期 45纳秒

IS62C5128BL-45QLI 产品详情

The IS62C5128BL-45QLI is a 512K x 8-bit high-speed CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized as 524288 words by 8-bit. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 45ns with low power consumption. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using chip enable and output enable inputs, CE and OE. The active LOW write enable (WE) controls both writing and reading of the memory. A data byte allows upper byte (UB) and lower byte (LB) access.

Feature

  • Low active power - 50mW typical
  • Low standby power - 10µW typical CMOS standby
  • TTL compatible interface levels
  • Single 5V±10% power supply
  • Fully static operation: no clock or refresh required
IS62C5128BL-45QLI所属分类:存储器,IS62C5128BL-45QLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS62C5128BL-45QLI价格参考¥35.930578,你可以下载 IS62C5128BL-45QLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS62C5128BL-45QLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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