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NPN silicon microwave transistor in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package offering an innovative Ku-band DRO solution.
Features and benefits
DROs with good output power and low phase noise at very low current consumption: 5 dBm and 55 dBc/Hz/1 kHz at 12 mA
Low-noise, high gain for low cost LNA solutions
40 GHz fT silicon technology
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFU520AR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) | ¥2.20112 |
 | BFU630F,115 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 200mW 特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP | ¥4.56303 |
 | BFU550XRR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143R | ¥1.19725 |
 | BFU520WF | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.66448 |
 | BFU610F,115 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10毫安 集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 136毫瓦 特征频率: 15GHz 供应商设备包装: 4-DFP | ¥3.04202 |
 | BFU520YX | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: 2 NPN（双） 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥5.18116 |
 | BFU530XAR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143B | ¥2.89716 |
| BFU768F,115 | BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G | ¥0.97171 | |
| BFU550WF | BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R | ¥1.22101 | |
| BFU550WX | BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R | ¥2.12572 |
NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商，为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合，包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新，为工业和汽车应用提供强大的电源...
