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FQP16N25C-F105
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FQP16N25C-F105

  • 描述:FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
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  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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规格参数

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FQP16N25C-F105 产品详情

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Feature

  • 16A, 250V, RDS(on)= 230mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 8A
  • Low gate charge ( Typ. 27nC)
  • Low Crss ( Typ. 23pF)
  • 100% avalanche tested

Applications

  • Other Audio & Video
FQP16N25C-F105所属分类:专用芯片,FQP16N25C-F105 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQP16N25C-F105价格参考¥1.955583,你可以下载 FQP16N25C-F105中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQP16N25C-F105规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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