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MWI75-12T7T是IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3，包括MWI75系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于六组IGBT模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺钉，以及E2封装盒，该设备也可以用作机箱安装安装类型。此外，供应商设备包为E2，该设备以标准输入提供，该设备具有三相逆变器配置，功率最大值为355W，集电器Ic最大值为110A，集电器发射器击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为4mA，IGBT类型为沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.15V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.35nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
MWI75-12T8T是IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，类型如数据表注释所示，用于六组IGBT模块，提供供应商设备包功能，如E3，系列设计用于MWI75，以及功率半导体模块产品，该器件也可以用作360W最大功率。此外，该器件采用散装封装，采用E3封装盒，该器件有一个NTC热敏电阻，安装方式为螺钉，安装类型为底盘安装，输入电容Cies Vce为5.35nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽，集流器Ic Max为110A，电流收集器截止最大值为3mA，配置为三相逆变器。
MWI80-12T6K是MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1，包括三相逆变器配置，它们设计为以1mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于80A，提供IGBT类型的功能，如沟槽，输入设计为标准工作，以及3.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，安装类型为螺钉式，该器件采用是NTC热敏电阻，该器件具有E1封装外壳，封装为散装，最大功率为270W，产品为功率半导体模块，系列为MWI80，供应商器件封装为E1，类型为六组IGBT模块，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V。
