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ZGL41-200A-E3/96是DIODE ZENER 200V 1W DO213AB，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于单位重量为0.004762盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，具有2.67 mm等高度特征，长度设计为5.2 mm，宽度为2.67 mm，该设备也可以用作DO-213AB，MELF封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-213AB，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为200V，阻抗最大值Zzt为1200 Ohm，电流反向泄漏Vr为1μa@152V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为200 V，电压容差为5%，Zz齐纳阻抗为1.2 kΩ，Ir反向电流为1 uA。
ZGL41-200A-E3/97是DIODE ZENER 200V 1W DO213AB，包括1.2千欧Zz齐纳阻抗，设计用于2.67毫米宽，数据表中显示了用于200伏的Vz齐纳电压，提供200V电压齐纳标称Vz特性，电压容差设计为5%，以及1.5V@200mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.004762盎司单位重量。此外，公差为±5%，该设备采用DO-213AB供应商设备包提供，该设备的最大功率为1W，Pd功耗为1 W，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AA，MELF，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，长度为5.2 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大Zzt为1200 Ohm，高度为2.67 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@152V，配置为单一。
ZGL41-200-E3/96是DIODE ZENER 200V 1W DO213AB，包括1μA@152V电流反向泄漏Vr，它们设计用于1200欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C，包装箱设计用于DO-213AB、MELF以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备的容差为±10%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为200V。
ZGL41-200-E3/97是DIODE ZENER 200V 1W DO213AB，包括磁带和卷轴（TR）包装，它们设计为表面安装安装型，数据表说明中显示了用于DO-213AB、MELF的包装盒，该产品提供DO-213AA等供应商设备包装功能，其工作温度范围为-55°C~150°C，以及200V电压齐纳标称Vz，该器件还可以用作1μA@152V电流反向泄漏Vr。此外，最大功率为1W，设备提供1200欧姆阻抗最大Zzt，设备具有1.5V@200mA正向电压Vf最大If，容差为±10%。
