分类:
- 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
- 达尔科技 (Diodes rporated)
封装:
- 3-UDFN
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安 (Ta) 最大功耗: 430mW (Ta) 供应商设备包装: X1-DFN1212-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥0.59464 | 2700 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.59464 | 立即购买 加入购物车 |
DMN62D0SFD-7 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 部件状态 | 可供货 |
| 场效应管类型 | n通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | ±20V |
| 场效应管特性 | - |
| 工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度（TJ） |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 漏源电压标 (Vdss) | 60 V |
| 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） | 5V, 10V |
| 制造厂商 | 达尔科技 (Diodes rporated) |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2.5V@1毫安 |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 0.87 nC@10 V |
| 导通电阻 Rds(ON) | 2欧姆@500毫安，10伏 |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | 540毫安 (Ta) |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 30.2 pF @ 25 V |
| 最大功耗 | 430mW (Ta) |
| 供应商设备包装 | X1-DFN1212-3 |
| 包装/外壳 | 3-UDFN |
| 数据手册PDF | PDF链接 |