图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥11.22650 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
构造/结构 | - |
高度(英寸) | - |
宽(英寸) | - |
制造厂商 | 安盛美 (onsemi) |
部件状态 | 可供货 |
场效应管类型 | n通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
场效应管特性 | - |
漏源电压标 (Vdss) | 60 V |
安装类别 | 通孔 |
供应商设备包装 | TO-220-3 |
包装/外壳 | 至220-3 |
最大栅源极电压 (Vgs) | ±15V |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2V@250A. |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 12A(Tc) |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 5V |
最大功耗 | 48W (Tc) |
工作温度 | -65摄氏度~175摄氏度(TJ) |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 570 pF @ 25 V |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 10 nC @ 5 V |
导通电阻 Rds(ON) | 180毫欧姆@6A,5V |
色彩/颜色 | - |
数据手册PDF | PDF链接 |