分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥51.35216 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.35216 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.25787 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.25787 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥2.96959 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥8.93774 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.93774 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥65.59603 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.59603 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.91069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.91069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥17.13670 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.13670 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥81.58403 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.58403 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥11.38584 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.38584 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥68.32952 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.32952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥17.32502 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.32502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥10.57463 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.57463 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥48.77369 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.77369 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥22.13430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.13430 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥43.37049 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.37049 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥11.22650 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: LDPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥85.64005 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥85.64005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.41817 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、220W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-3 工作温度: 175摄氏度(TJ) | ¥23.03242 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.03242 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥56.34204 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.34204 | 添加到BOM 立即询价 |