分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA | ¥36.23167 | 12336 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,137.66829 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RJL5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA | ¥41.57982 | 2240 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.15080 | 添加到BOM 立即询价 | ||
UPA1981TE-T1-A - N-CHANNEL/P-CHA | ¥1.60669 | 27000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.24894 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HAT1093C - P-CHANNEL POWER MOSFE | ¥1.67152 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.29928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N0302P-T1-AT - MOSFET N-CHANNEL | ¥1.68731 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.56282 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV | ¥1.80783 | 9604 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.20143 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE | ¥1.84774 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.08980 | 添加到BOM 立即询价 | ||
UPA1902TE-T1-AT - N-CHANNEL MOS | ¥2.00896 | 114000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.68900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.83953 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HAT2292C - N-CHANNEL DUAL POWER | ¥2.25001 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.25676 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HAT3043C - NCH/PCH DUAL POWER MO | ¥2.25001 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.25676 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PSMN017-30EL - N-CHANNEL 30V LO | ¥2.26428 | 7475 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.43973 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.66107 | 6317 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.66107 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥52.72831 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.72831 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.87596 | 1926 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.87596 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.94839 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.94839 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.78952 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.78952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.93918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.93918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.98120 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.98120 | 添加到BOM 立即询价 | ||
UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC | ¥7.64561 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.35182 | 添加到BOM 立即询价 |