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IPB019N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘包装，数据表注释中显示了用于IPB019NO8N3GATMA1 IPB019NO 8N3GXT SP000444110的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.056438盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-263-7包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单频源配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为73 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为180A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为28ns，沟道模式为增强。
IPB019N06L3G，带有INFINEON制造的用户指南。IPB019N06L3G在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPB019N08N3G，带有INFINEON制造的电路图。IPB019N08N3G在TO-263-7封装中提供，是FET的一部分-单个。
