分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IRGP4072D - IGBT WITH ULTRAFAST | ¥26.36416 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,161.86079 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH SMD | ¥6.95318 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.95318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 178.5 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥30.38582 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.38582 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RJH1DF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥37.43703 | 400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.34768 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥950.55820 | 39 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,851.67459 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥129.34371 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.34371 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RJH1BF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥41.65500 | 5847 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.06021 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IRGPS66160D - IGBT WITH ULTRAFAS | ¥82.85878 | 122 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,154.32818 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 225毫瓦 电阻-RDS(On): 125欧姆 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥160.60464 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥160.60464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 330 A 最大功率: 2200 W 供应商设备包装: Module | ¥8,454.34745 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,454.34745 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 308 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥35.20049 | 1501 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.43063 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IRGB20B60 - DISCRETE IGBT WITH A | ¥21.62730 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.62730 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT 650V 45A CO-PAK-247 | ¥43.53103 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.53103 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 652 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥96.69272 | 60 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥96.69272 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥156.48902 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥156.48902 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 300伏 最大功率: 56.8 W 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥28.52978 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.52978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 29 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥81.55665 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.55665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥135.38367 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135.38367 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 238 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥47.31062 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.31062 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 225毫瓦 电阻-RDS(On): 300欧姆 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.83438 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.83438 | 立即购买 加入购物车 |