功率驱动器模块为功率组件(通常是半桥或一相、两相或三相配置中的 IGBT 和 MOSFET)提供物理封装。功率半导体或芯片焊接或烧结在承载功率半导体的基板上,并在需要时提供电接触和热接触以及电绝缘。电源模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更容易冷却。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 25 A 电压: 1.2千伏 隔离电压: 2500VDC 参数配置: 三相 包装/外壳: 28 PowerDIP模块(1.882英寸,47.80毫米) | ¥153.53760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥153.53760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 1.2 A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块(0.573“,14.56毫米) | ¥37.77035 | 540 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,197.99369 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 20 PowerDIP模块(1.220“,31.00毫米) | ¥70.08751 | 10109 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,312.88776 | 立即购买 加入购物车 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 3A 电压: 600 V 隔离电压: 2500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 27 PowerDIP模块(1.205“,30.60毫米) | ¥264.42936 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥264.42936 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 1.5 A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerSMD模块,鸥翼 | ¥38.02523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,111.35125 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 2500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 27 PowerDIP模块(1.205“,30.60毫米) | ¥67.57626 | 7895 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,230.01648 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 2A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块(0.551“,14.00毫米) | ¥235.34521 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥235.34521 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 3.3 A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 27 PowerLQFN模块 | ¥38.02523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38,025.22500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 4A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相 包装/外壳: 24 PowerDIP模块(1.028“,26.10毫米) | ¥33.68818 | 558 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33.68818 | 立即购买 加入购物车 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 4A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相 包装/外壳: 24 PowerDIP模块(1.028“,26.10毫米) | ¥39.50495 | 32 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥39.50495 | 立即购买 加入购物车 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 20A 电压: 600 V 隔离电压: 2500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 27 PowerDIP模块(1.205“,30.60毫米) | ¥127.52891 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥127.52891 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 2.2 A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 23 PowerSMD模块,鸥翼 | ¥26.20005 | 450 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,790.02430 | 立即购买 加入购物车 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 11 A 电压: 600 V 隔离电压: 2500Vrms 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 27 PowerDIP模块(1.205“,30.60毫米) | ¥70.30821 | 74321 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,320.17080 | 立即购买 加入购物车 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 5 A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相 包装/外壳: 29 PowerSSIP模块,21根引线,成型引线 | ¥422.50080 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥422.50080 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 1.2 A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块(0.551“,14.00毫米) | ¥40.79281 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,342.70580 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 3A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 23 PowerDIP模块(0.551“,14.00毫米) | ¥47.12436 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥47.12436 | 立即购买 加入购物车 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 5 A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相 包装/外壳: 29 PowerSSIP模块,21根引线,成型引线 | ¥145.82157 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥145.82157 | 添加到BOM 立即询价 | ||
种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 2A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerSMD模块,鸥翼 | ¥77.81195 | 450 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,213.40078 | 立即购买 加入购物车 | ||
种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 1.8 A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块(0.748“,19.00毫米) | ¥73.24034 | 410 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,270.45060 | 立即购买 加入购物车 | ||
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 10A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相 包装/外壳: 29 PowerSSIP模块,21根引线,成型引线 | ¥104.89480 | 99 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,307.68558 | 立即购买 加入购物车 |