预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管,以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器,通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器,另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini5-F4-B | ¥4.92517 | 5827 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥0.94881 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.94881 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SMini6-F3-B | ¥4.92517 | 4805 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥1.49710 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.49710 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini6-F3-B | ¥4.92517 | 4306 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥2.17007 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.17007 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini5-F4-B | ¥4.92517 | 4215 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥1.83176 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.83176 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini6-F3-B | ¥4.92517 | 4200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥2.54950 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.54950 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini6-F3-B | ¥4.92517 | 4020 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥1.89298 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.89298 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini6-F3-B | ¥4.92517 | 3592 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥1.94416 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.94416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PUMB1 - PNP/PNP RESISTOR-EQUIPPE | ¥0.14486 | 720000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥1.77480 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.77480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.26222 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,933.22500 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥1.54933 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.54933 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.14486 | 84000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: Mini5-G1 | ¥2.53269 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53269 | 添加到BOM 立即询价 |