什么是预偏置双极晶体管阵列:
预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管，以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器，通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器，另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。
最大集电极电流 (Ic):
- 100毫安，3A
- 100毫安，1A
- 600毫安
- 100毫安、200毫安
- 80毫安
- 400毫安
- 70毫安, 100毫安
- 150毫安
- 30毫安、100毫安
- 200毫安
- 100毫安、1.5A
- 100毫安、1.8A
- 20毫安
- 100毫安
- 100毫安、700毫安
- 100毫安、500毫安
- 500毫安
- 30毫安
- 100毫安、150毫安
- 50毫安
更多
集电极击穿电压:
- 50V, 12V
- 50V, 15V
- 50V, 60V
- 15伏
- 50V, 20V
- 50V, 65V
- 50V, 40V
- 40V, 30V
- 50V, 30V
- 20伏
- 50V
- 60V
- 70V
- 80V
更多
最大功率:
- 480mW
- 270毫瓦
- 338mW
- 339mW
- 1W
- 420mW
- 290毫瓦
- 230毫瓦
- 1.25瓦
- 250mW
- 600mW
- 385mW
- 125毫瓦
- 300mW
- 120兆瓦
- 760mW
- 150mW
- 285mW
- 150mW、120mW
- 200mW
- 100mW
- 408mW
- 187mW
- 357mW
- 1.5瓦
- 330mW
- 500mW
- 350mW
更多
制造厂商:
- 芯导 (Prisemi)
- 蓝箭 (BLUE ROCKET)
- 英飞凌 (Infineon)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 安世 (Nexperia)
- 罗姆 (Rohm)
- 江苏长电/长晶 (CJ)
- 安世半导体 (Nexperia)
- DComponents (DComponents)
- 达尔科技 (Diodes rporated)
- 维攀微 (WPMtek)
- 恩智浦 (NXP)
- 东芝 (Toshiba)
- 扬杰 (YANGJIE)
- 宝力芯 (PSI)
- 德昌 (TC)
- 强茂 (Panjit)
- 安盛美 (onsemi)
- 台舟 (TECH PUBLIC)
- 松下 (Panasonic)
- 乐山无线电 (LRC)
- 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
- MINI6-G1
- 8-SO
- SMini5-F3-B
- 6-TSOP
- SOT-353
- PG-SC74-6
- SOT-553
- SOT-66
- SMT6
- SOT-26
- SM6
- SMT5
- SMini6-F3-B
- 6-TSSOP
- SSMini5-F3
- SMINI6-G1
- SSMini5-F2
- SSMini6-F3-B
- EMT3
- SOT-457
- EMT5
- Mini6-G4-B
- SOT-23-6
- EMT6
- SSMini5-F4-B
- Mini5-G3-B
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- DFN1010B-6
- SMQ
- SMV
- SSMINI6-F1
- SMini5-G1
- SSMini6-F2
- SOT-963
- 5-SSOP
- ES6
- SC-74
- DFN1412-6
- SC-88A（SC-70-5/SOT-353）
- US6
- PG-SOT363-6
- UMT6
- UMT5
- Mini5-G1
- SSSMini6-F1
- ESV
- PG-SOT23-3-11
- SOT-363
- TSMT6（SC-95）
- SOT-563
- PG-SOT363-PO
- USV
- PG-SOT363-6-1
- SC-74R
更多
特征频率:
- 200MHz
- 185兆赫
- 250MHz
- 250MHz、260MHz
- 250MHz、200MHz
- 150MHz、200MHz
- 170MHz
- 250MHz、180MHz
- 230兆赫
- 250MHz、140MHz
- 100MHz、200MHz
- 250MHz、320MHz
- 100MHz、80MHz
- 300MHz, 250MHz
- 200MHz、250MHz
- 250MHz、280MHz
- 140MHz
- 150MHz、80MHz
- 230MHz、180MHz
- 280兆赫
- 80MHz
- 150MHz
- 300MHz
- 130MHz
- 100MHz
- 170MHz、150MHz
- 190兆赫
- 35MHz
- 180MHz
更多
晶体管类别:
- 1 NPN预偏置，1 NPN
- 1个NPN，1个PNP-预偏置（双）
- 1个PNP预偏置，1个NPN
- 1个NPN，1个PNP-预偏置（基极-集电极结）
- 2 PNP预偏置（双）
- 1 PNP预偏置，1 PNP
- NPN，PNP
- 2 NPN-预偏置（双）
- 1个NPN预偏置，1个PNP
- 2 NPN-预偏置（双）（发射极耦合）
- 2个NPN，1个PNP-预偏置
- 2 PNP-预偏置（双）
- NPN+PNP
- 2 PNP-预偏置（双）（发射极耦合）
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：625mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.32458 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32458 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.13591 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13591 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：625mW 集电极电流(Ic)：150mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.99787 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.99787 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥0.95037 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.95037 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V HFE:>80 | ¥0.17211 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17211 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：33@10mA,5V | ¥0.15958 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15958 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥0.30835 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.30835 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥1.18856 | 218 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.18856 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.15646 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15646 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.24430 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24430 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V | ¥0.37370 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.37370 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：600mA 集射极击穿电压(Vceo)：15V | ¥0.23958 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23958 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：100mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.19255 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19255 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.09185 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09185 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.23353 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23353 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.22490 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22490 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.15645 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15645 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.22558 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22558 | 立即购买 加入购物车 |