【预偏置双极晶体管阵列厂家_预偏置双极晶体管阵列型号采购】|第96页-久芯网

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分立半导体
晶体管
预偏置双极晶体管阵列

什么是预偏置双极晶体管阵列:

预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管，以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器，通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器，另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。

最大集电极电流 (Ic):
100毫安，3A
100毫安，1A
600毫安
100毫安、200毫安
80毫安
400毫安
70毫安, 100毫安
150毫安
30毫安、100毫安
200毫安
100毫安、1.5A
100毫安、1.8A
20毫安
100毫安
100毫安、700毫安
100毫安、500毫安
500毫安
30毫安
100毫安、150毫安
50毫安
更多
集电极击穿电压:
50V, 12V
50V, 15V
50V, 60V
15伏
50V, 20V
50V, 65V
50V, 40V
40V, 30V
50V, 30V
20伏
50V
60V
70V
80V
更多
最大功率:
480mW
270毫瓦
338mW
339mW
1W
420mW
290毫瓦
230毫瓦
1.25瓦
250mW
600mW
385mW
125毫瓦
300mW
120兆瓦
760mW
150mW
285mW
150mW、120mW
200mW
100mW
408mW
187mW
357mW
1.5瓦
330mW
500mW
350mW
更多
制造厂商:
芯导 (Prisemi)
蓝箭 (BLUE ROCKET)
英飞凌 (Infineon)
松下电子元件 (Panasonic)
安世 (Nexperia)
罗姆 (Rohm)
江苏长电/长晶 (CJ)
安世半导体 (Nexperia)
DComponents (DComponents)
达尔科技 (Diodes rporated)
维攀微 (WPMtek)
恩智浦 (NXP)
东芝 (Toshiba)
扬杰 (YANGJIE)
宝力芯 (PSI)
德昌 (TC)
强茂 (Panjit)
安盛美 (onsemi)
台舟 (TECH PUBLIC)
松下 (Panasonic)
乐山无线电 (LRC)
德欧泰克半导体 (Diotec)
微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
MINI6-G1
8-SO
SMini5-F3-B
6-TSOP
SOT-353
PG-SC74-6
SOT-553
SOT-66
SMT6
SOT-26
SM6
SMT5
SMini6-F3-B
6-TSSOP
SSMini5-F3
SMINI6-G1
SSMini5-F2
SSMini6-F3-B
EMT3
SOT-457
EMT5
Mini6-G4-B
SOT-23-6
EMT6
SSMini5-F4-B
Mini5-G3-B
SC-88/SC70-6/SOT-363
DFN1010B-6
SMQ
SMV
SSMINI6-F1
SMini5-G1
SSMini6-F2
SOT-963
5-SSOP
ES6
SC-74
DFN1412-6
SC-88A（SC-70-5/SOT-353）
US6
PG-SOT363-6
UMT6
UMT5
Mini5-G1
SSSMini6-F1
ESV
PG-SOT23-3-11
SOT-363
TSMT6（SC-95）
SOT-563
PG-SOT363-PO
USV
PG-SOT363-6-1
SC-74R
更多
特征频率:
200MHz
185兆赫
250MHz
250MHz、260MHz
250MHz、200MHz
150MHz、200MHz
170MHz
250MHz、180MHz
230兆赫
250MHz、140MHz
100MHz、200MHz
250MHz、320MHz
100MHz、80MHz
300MHz, 250MHz
200MHz、250MHz
250MHz、280MHz
140MHz
150MHz、80MHz
230MHz、180MHz
280兆赫
80MHz
150MHz
300MHz
130MHz
100MHz
170MHz、150MHz
190兆赫
35MHz
180MHz
更多
晶体管类别:
1 NPN预偏置，1 NPN
1个NPN，1个PNP-预偏置（双）
1个PNP预偏置，1个NPN
1个NPN，1个PNP-预偏置（基极-集电极结）
2 PNP预偏置（双）
1 PNP预偏置，1 PNP
NPN，PNP
2 NPN-预偏置（双）
1个NPN预偏置，1个PNP
2 NPN-预偏置（双）（发射极耦合）
2个NPN，1个PNP-预偏置
2 PNP-预偏置（双）
NPN+PNP
2 PNP-预偏置（双）（发射极耦合）
更多

当前"预偏置双极晶体管阵列"共 1978 条相关库存

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品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
DTA123ECA 扬杰 (YANGJIE)	晶体管类型：1个PNP-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@20mA,10V	¥0.19592	2380	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.19592	立即购买加入购物车
DTC115EE 江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥0.15664	2400	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.15664	立即购买加入购物车
MMUN2235 维攀微 (WPMtek)	晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V	¥0.11412	1900	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.11412	立即购买加入购物车
KRC102-AT/P	暂无	¥0.37907	1890	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.37907	立即购买加入购物车
DTA113ZCA 扬杰 (YANGJIE)	晶体管类型：1个PNP-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：33@5mA,5V	¥0.20280	20	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.20280	立即购买加入购物车
LMUN2113LT1G 乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：PNP 功率(Pd)：246mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.07895	1995	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.07895	立即购买加入购物车
LDTA143XLT1G 乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.15182	1820	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.15182	立即购买加入购物车
LMUN5114T1G 乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.13468	1660	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.13468	立即购买加入购物车
LDTC114YET1G 乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.15916	1560	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.15916	立即购买加入购物车
LDTA143TET1G 乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.12890	2000	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.12890	立即购买加入购物车
LMUN5235T1G 乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.19349	1320	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.19349	立即购买加入购物车
DTC114YUAFRAT106 罗姆 (Rohm)	晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.24771	125	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.24771	立即购买加入购物车
DTA114YUA 江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥0.17206	1440	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.17206	立即购买加入购物车
LMUN5112T1G 乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.13724	1740	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.13724	立即购买加入购物车
DTC123YUA 扬杰 (YANGJIE)	晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：33@10mA,5V	¥0.16858	1740	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.16858	立即购买加入购物车
DTC123ECA 江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥0.15883	1640	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.15883	立即购买加入购物车
DTC114EKAFRAT146 罗姆 (Rohm)	暂无	¥0.43530	300	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.43530	立即购买加入购物车
KRA101-AT/P	晶体管类型：1个PNP-预偏置功率(Pd)：625mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V	¥0.23127	1150	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.23127	立即购买加入购物车
DTC114ESA-TA 江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥0.21501	780	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.21501	立即购买加入购物车
PDTC114TE 芯导 (Prisemi)	晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@1mA,5V	¥0.21688	780	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.21688	立即购买加入购物车

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