预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管,以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器,通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器,另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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档位120-560 | ¥0.41106 | 2990 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.41106 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V | ¥0.26676 | 1060 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.26676 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.13318 | 2880 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13318 | 立即购买 加入购物车 | ||
集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.34255 | 2940 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34255 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V | ¥0.18380 | 2900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18380 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.19278 | 2960 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19278 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.19873 | 2860 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19873 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.50193 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.50193 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.54809 | 2900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.54809 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.21729 | 2880 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21729 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.14600 | 2180 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14600 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.11009 | 10799 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11009 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.18748 | 2640 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18748 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.21724 | 1880 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21724 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.16386 | 80 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16386 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.40035 | 2100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.40035 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):30mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.15461 | 1220 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15461 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:2个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.39916 | 2580 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.39916 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.16297 | 170 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16297 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.12611 | 60 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12611 | 立即购买 加入购物车 |