| UMG4N-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-353 | ¥1.12453 |
| UMG1NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥2.82473 |
| UMG9NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.22308 |
| UMG6NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.51903 |
| UMG11NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥1.71874 |
| UMG8NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.44399 |
| UMG3NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.17383 |
| UMG2NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.19266 |
| UMG8N | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型:2个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.50455 |
| UMG5NGTR | 罗姆 (Rohm) | 暂无 | ¥0.50193 |