UMG8N
- 描述:晶体管类型：2个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V
- 品牌: 江苏长电/长晶 (CJ)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.50454 | 0.50454 |
| 10+ | 0.41376 | 4.13765 |
| 30+ | 0.36836 | 11.05101 |
| 100+ | 0.33432 | 33.43250 |
| 600+ | 0.30708 | 184.25040 |
| 1200+ | 0.29346 | 352.16160 |
- 库存: 10115
- 单价: ¥0.50455
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.50
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规格参数
- 晶体管类型 2个NPN-预偏置
- 功率(Pd) 150mW
- 集电极电流(Ic) 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo) 50V
UMG8N 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | UMG4N-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-353 | ¥1.12453 |
 | UMG1NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥2.82473 |
 | UMG9NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.22308 |
 | UMG6NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.51903 |
 | UMG11NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥1.71874 |
 | UMG8NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.44399 |
 | UMG3NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.17383 |
 | UMG2NTR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5 | ¥0.19266 |
| UMG8N | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：2个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.50455 |
 | UMG5NGTR | 罗姆 (Rohm) | 暂无 | ¥0.50193 |
UMG8N所属分类：预偏置双极晶体管阵列，UMG8N 由 江苏长电/长晶 (CJ) 设计生产，可通过久芯网进行购买。UMG8N价格参考￥0.504548，你可以下载 UMG8N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询UMG8N规格参数、现货库存、封装信息等信息！
江苏长电/长晶 (CJ)
江苏长晶科技股份有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体产品研发、设计和销售公司，公司成立于2018年11月，总部坐落于江苏南京江北新区研创园，在深圳、上海、北京、香港、台湾等地设立子公司、分公...
