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什么是预偏置双极晶体管阵列:

预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管,以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器,通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器,另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。

最大集电极电流 (Ic):
  • 100毫安,3A
  • 100毫安,1A
  • 600毫安
  • 100毫安、200毫安
  • 80毫安
  • 400毫安
  • 70毫安, 100毫安
  • 150毫安
  • 30毫安、100毫安
  • 200毫安
  • 100毫安、1.5A
  • 100毫安、1.8A
  • 20毫安
  • 100毫安
  • 100毫安、700毫安
  • 100毫安、500毫安
  • 500毫安
  • 30毫安
  • 100毫安、150毫安
  • 50毫安
更多
集电极击穿电压:
  • 50V, 12V
  • 50V, 15V
  • 50V, 60V
  • 15伏
  • 50V, 20V
  • 50V, 65V
  • 50V, 40V
  • 40V, 30V
  • 50V, 30V
  • 20伏
  • 50V
  • 60V
  • 70V
  • 80V
更多
最大功率:
  • 480mW
  • 270毫瓦
  • 338mW
  • 339mW
  • 1W
  • 420mW
  • 290毫瓦
  • 230毫瓦
  • 1.25瓦
  • 250mW
  • 600mW
  • 385mW
  • 125毫瓦
  • 300mW
  • 120兆瓦
  • 760mW
  • 150mW
  • 285mW
  • 150mW、120mW
  • 200mW
  • 100mW
  • 408mW
  • 187mW
  • 357mW
  • 1.5瓦
  • 330mW
  • 500mW
  • 350mW
更多
制造厂商:
  • 芯导 (Prisemi)
  • 蓝箭 (BLUE ROCKET)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 安世 (Nexperia)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 江苏长电/长晶 (CJ)
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • DComponents (DComponents)
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 维攀微 (WPMtek)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 扬杰 (YANGJIE)
  • 宝力芯 (PSI)
  • 德昌 (TC)
  • 强茂 (Panjit)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 松下 (Panasonic)
  • 乐山无线电 (LRC)
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
  • MINI6-G1
  • 8-SO
  • SMini5-F3-B
  • 6-TSOP
  • SOT-353
  • PG-SC74-6
  • SOT-553
  • SOT-66
  • SMT6
  • SOT-26
  • SM6
  • SMT5
  • SMini6-F3-B
  • 6-TSSOP
  • SSMini5-F3
  • SMINI6-G1
  • SSMini5-F2
  • SSMini6-F3-B
  • EMT3
  • SOT-457
  • EMT5
  • Mini6-G4-B
  • SOT-23-6
  • EMT6
  • SSMini5-F4-B
  • Mini5-G3-B
  • SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DFN1010B-6
  • SMQ
  • SMV
  • SSMINI6-F1
  • SMini5-G1
  • SSMini6-F2
  • SOT-963
  • 5-SSOP
  • ES6
  • SC-74
  • DFN1412-6
  • SC-88A(SC-70-5/SOT-353)
  • US6
  • PG-SOT363-6
  • UMT6
  • UMT5
  • Mini5-G1
  • SSSMini6-F1
  • ESV
  • PG-SOT23-3-11
  • SOT-363
  • TSMT6(SC-95)
  • SOT-563
  • PG-SOT363-PO
  • USV
  • PG-SOT363-6-1
  • SC-74R
更多
特征频率:
  • 200MHz
  • 185兆赫
  • 250MHz
  • 250MHz、260MHz
  • 250MHz、200MHz
  • 150MHz、200MHz
  • 170MHz
  • 250MHz、180MHz
  • 230兆赫
  • 250MHz、140MHz
  • 100MHz、200MHz
  • 250MHz、320MHz
  • 100MHz、80MHz
  • 300MHz, 250MHz
  • 200MHz、250MHz
  • 250MHz、280MHz
  • 140MHz
  • 150MHz、80MHz
  • 230MHz、180MHz
  • 280兆赫
  • 80MHz
  • 150MHz
  • 300MHz
  • 130MHz
  • 100MHz
  • 170MHz、150MHz
  • 190兆赫
  • 35MHz
  • 180MHz
更多
晶体管类别:
  • 1 NPN预偏置,1 NPN
  • 1个NPN,1个PNP-预偏置(双)
  • 1个PNP预偏置,1个NPN
  • 1个NPN,1个PNP-预偏置(基极-集电极结)
  • 2 PNP预偏置(双)
  • 1 PNP预偏置,1 PNP
  • NPN,PNP
  • 2 NPN-预偏置(双)
  • 1个NPN预偏置,1个PNP
  • 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合)
  • 2个NPN,1个PNP-预偏置
  • 2 PNP-预偏置(双)
  • NPN+PNP
  • 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合)
更多
当前"预偏置双极晶体管阵列"共 1978 条相关库存
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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
BCR148SH6433XTMA1
BCR148SH6433XTMA1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥0.71582

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥14,316.32000

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BCR169SH6327XTSA1
BCR169SH6327XTSA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥0.68952

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,411.43200

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BCR183SH6327XTSA1
BCR183SH6327XTSA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥0.71582

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,085.87268

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BCR183SH6433XTMA1
BCR183SH6433XTMA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥0.45920

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,184.00000

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MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

¥1.81073

347

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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NSBC124EDP6T5G
NSBC124EDP6T5G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963

¥0.36215

136000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.01447

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LMUN2212LT1G
LMUN2212LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.12619

9620

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12619

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DTC143ZM
DTC143ZM
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):100mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.17137

15340

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17137

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LDTC143ZET1G
LDTC143ZET1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.10357

2790

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10357

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DTC143ECA
DTC143ECA
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.19773

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19773

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LMUN2211LT1G
LMUN2211LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.11211

24200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11211

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DTC123YCA
DTC123YCA
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.14899

2940

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14899

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LMUN2111LT1G
LMUN2111LT1G
晶体管类型:PNP 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.07895

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07895

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DTC143ZE
DTC143ZE
暂无

¥0.11403

1720

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11403

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LMUN2232LT1G
LMUN2232LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.08474

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08474

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KRC103S-RTK/P
KRC103S-RTK/P
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.15669

18660

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15669

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LMUN2233LT1G
LMUN2233LT1G
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.07895

23825

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07895

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DTA144EM
DTA144EM
暂无

¥0.22837

16000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22837

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DTC143ZUA
DTC143ZUA
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.21004

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21004

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DTC114EUA
DTC114EUA
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.15627

1900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15627

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