预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管,以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器,通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器,另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6 | ¥0.71582 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,316.32000 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6 | ¥0.68952 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,411.43200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6 | ¥0.71582 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,085.87268 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6 | ¥0.45920 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,184.00000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | ¥1.81073 | 347 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-963 | ¥0.36215 | 136000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,204.01447 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.12619 | 9620 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12619 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):100mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.17137 | 15340 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17137 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.10357 | 2790 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10357 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.19773 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19773 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.11211 | 24200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11211 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.14899 | 2940 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14899 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.07895 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07895 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.11403 | 1720 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11403 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.08474 | 2980 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08474 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.15669 | 18660 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15669 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 功率(Pd):246mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.07895 | 23825 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07895 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.22837 | 16000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22837 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.21004 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21004 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.15627 | 1900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15627 | 立即购买 加入购物车 |