【分立双极结型晶体管厂家_分立双极结型晶体管型号采购】|第757页-久芯网

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什么是分立双极结型晶体管:

分立双极结型晶体管 (BJT) 通常用于构建音频、无线电和其他应用中的模拟信号放大功能。作为首批批量生产的半导体器件之一，其特性不如其他器件类型适用于涉及高频开关和高电流或高电压操作的应用，但它们仍然是需要模拟信号再现应用的首选，拥有最小的噪声和失真。

最大集电极电流 (Ic):
10A
900 mA
70 mA
42 A
16 A
1.5 A
6.6 A
6.2 A
800 mA
5 A
50 mA
9 A
100 A
500 µA
5.8 A
72 A
5 mA
700 mA
4.3 A
30 A
4.7 A
1A
2.7A
400毫安
30毫安
3.5 A
24A
12A
60 A
300毫安
2A
6.5 A
150毫安
500 mA
225毫安
8 A
120 A
5.3 A
1.2 A
2.A.
5.7 A
65 mA
4.4 A
4.8 A
3A
100A.
100毫安
10毫安
45 A
10A.
1.25 A
3.2 A
26A
3毫安
200 A
40 A
400 nA
2.5 A
4A
4.9 A
14 A
1.7 A
60 mA
7 A
20毫安
750 mA
5.2 A
15A
5.6 A
1.3 A
25毫安
4.1 A
5.25 A
4.5 A
25 A
80 mA
3.7 A
120毫安
67 A
2.2 A
20A
7.5 A
250A.
17 A
200毫安
1.8 A
6 A
32 A
5.1 A
5.5 A
1毫安
50 A
200A.
4.2 A
250毫安
4.6 A
3.8 A
18A
1.A.
600 mA
更多
集电极击穿电压:
325伏
1200伏
50 V
200伏
16伏
24伏
36伏
75 V
115伏
17.5伏
12伏
20伏
32伏
40伏
170伏
150伏
130伏
90 V
2200伏
380伏
1100伏
100伏
65 V
25伏
225伏
7 V
45伏
375 V
80 V
260伏
175伏
450伏
400伏
800 V
550 V
440伏
72 V
18伏
125伏
55 V
22伏
10伏
180伏
30伏
160伏
140伏
70 V
900 V
650 V
120伏
750 V
285伏
350伏
1000伏
370伏
425伏
600 V
300伏
850 V
465伏
275伏
110伏
60 V
15伏
500 V
525 V
6 V
35伏
11伏
700 V
31伏
250伏
185伏
230伏
460伏
480伏
更多
最大功率:
150 mW
25瓦
100瓦
725 mW
2.1瓦
180瓦
50 W
290毫瓦
1.25瓦
310 mW
1.4瓦
740 mW
350毫瓦
640 mW
14瓦
125瓦
1 W
30瓦
250瓦
65 W
80 W
800 mW
1.5瓦
385毫瓦
320毫瓦
100 mW
15瓦
1.75瓦
700 mW
420毫瓦
130瓦
1.35瓦
125毫瓦
1.6瓦
325毫瓦
200瓦
115瓦
60 W
200毫瓦
450毫瓦
265毫瓦
3.9瓦
227毫瓦
2.4瓦
875 mW
10 W
120瓦
1.45瓦
750 mW
480毫瓦
33瓦
20.8瓦
75 W
160瓦
250毫瓦
400毫瓦
2.25瓦
90 W
2.5瓦
1.8瓦
650 mW
230瓦
1.1瓦
950毫瓦
3 W
430毫瓦
7 W
1.58瓦
360毫瓦
500 mW
1.67瓦
110瓦
35瓦
1.2瓦
70 W
460毫瓦
300瓦
150瓦
1.15瓦
36 W
600 mW
330毫瓦
806 mW
175瓦
1.56瓦
220瓦
490毫瓦
1.3瓦
2 W
730 mW
40瓦
6 W
625 mW
900 mW
380毫瓦
12.5瓦
225毫瓦
4.2瓦
435 mW
300毫瓦
更多
制造厂商:
英飞凌 (Infineon)
鲁光 (LGE)
扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
恩智浦 (NXP)
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
安盛美 (onsemi)
意法半导体 (STMicroelectronics)
韦尔 (WILLSEMI)
安谱隆 (Ampleon)
中央半导体 (Central)
合科泰 (Hottech)
永裕泰 (YONGYUTAI)
马康 (MACOM)
松下电子元件 (Panasonic)
哈利斯 (HARRIS)
安世半导体 (Nexperia)
治润 (ZRE)
摩托罗拉 (MOTOROLA)
东芝 (Toshiba)
扬杰 (YANGJIE)
深圳质超 (SPTECH)
强茂 (Panjit)
伯恩半导体 (BORN)
微芯 (Microchip)
欧普泰克 (TT)
美国柏恩 (Bourns)
科信 (KEXIN)
静芯微 (ElecSuper)
美国微芯 (MICROCHIP)
风华 (FH)
时科 (SHIKUES)
NTE电子 (NTE)
罗姆 (Rohm)
佑风微 (YFW)
DComponents (DComponents)
达尔科技 (Diodes rporated)
KEC公司 (KEC)
德昌 (TC)
威恩半导体有限公司 (WeEn)
富芯森美 (FUXINSEMI)
德州仪器 (Texas)
三垦电气株式会社 (Sanken)
平晶微 (PJSEMI)
台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
固态公司 (Solid State )
杰盛微 (JSMSEMI)
视差 (Parallax)
蓝箭 (BLUE ROCKET)
模拟器件公司 (Analog)
瑞能 (WeEn)
安世 (Nexperia)
三垦 (Allegro MicroSystems)
江苏长电/长晶 (CJ)
顺烨 (SY)
罗切斯特电子 (Rochester)
台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
萨科微 (Slkor)
美森科 (MSKSEMI)
瑞萨电子 (Renesas)
深圳辰达行电子有限公司 (MDD)
富信 (FOSAN)
乐山无线电 (LRC)
德欧泰克半导体 (Diotec)
广东友台半导体 (UMW)
微型商业组件 (Micro)
固得沃克 (GOODWORK)
佳尔科工业电子 (Galco)
更多
供应商设备包装:
TO-236
SC-70（SOT323）
6-TSOP
SOT-32 (TO-126)
SOT-66
X1-DFN1006-3
SMT3
6-TSSOP
TO-126N
DPAK (TO-263)
TO-39 (TO-205AD)
TO-126
Mini3-G1
EMT3
SOT-23-3
TO-220ML
3-NMP
SOT-223
TO-39
SMini3-F2
SOT23-3 (TO-236)
TO-218
X2-DFN1006-3
TO-3
TO-204 (TO-3)
SOT-523
TO-126-3
TO-252AA
3-CP
SOT-89
TO-220-3
SC-70-3（SOT323）
3-WDFN（2x2）
TO-220
TO-247-3
SOT-89-3
MPT3
TP-FA
DFN2020D-3
USM
TO-92
SOT-883
SOT-923F
SOT-23F
TO-92-3
SOT-223 (TO-261)
VMT3
3英里/小时
SOD-323
PowerDI5.
SOT-32-3
SSSMini3-F1
X2-DFN0806-3
SSSMini3-F2
SOT-23
DPAK
SST3
PG-SOT89
SOT-26
TO-220F-3
SOT-223-3
SOT-223-4
E-Line (TO-92 compatible)
D-Pak
TO-220F-3 (Y-Forming)
TO-220AB
TO-236AB
DFN1010D-3
PCP
3mcph
3-X2-DFN0806
SC-70
3-HUSON（2x2）
SOT-723
TO-92S
UMT3
PG-SOT323-3
CST3
Ceramic SMD
TO-264-3
MT-2-A1
PG-SOT23
TO-264
DFN1006B-3
UFM
TO-220F-3FS
PG-SOT23-3
SOT-23-3 (TO-236)
TO-92 (TO-226)
DFN2020B-3
SSM
PG-SOT23-3-11
SC-59
TO-252-3
TSMT6（SC-95）
TO-92AP
SOT-32
SOT-323
SC-75，SOT-416
UMT3F
更多
特征频率:
116MHz
145兆赫
500MHz
10MHz
340MHz
450兆赫
85MHz
690MHz
240MHz
13MHz
160MHz
390兆赫
8MHz
420MHz
360兆赫
440MHz
175兆赫
140MHz
110兆赫
30MHz
600MHz
800千赫兹
300MHz
260MHz
285兆赫
65MHz
3MHz
220兆赫
33MHz
190兆赫
205兆赫
1.5GHz
200MHz
165兆赫
25兆赫
104兆赫
60MHz
540MHz
6MHz
15MHz
38MHz
2.5GHz
290MHz
380兆赫
176兆赫
520MHz
32MHz
115兆赫
80MHz
18MHz
350MHz
35MHz
9MHz
180MHz
75MHz
330MHz
185兆赫
3.2GHz
250MHz
105兆赫
170MHz
4MHz
20MHz
210兆赫
55MHz
270MHz
320兆赫
200千赫兹
2.7GHz
150MHz
135兆赫
40MHz
130MHz
12MHz
1.5MHz
50MHz
120MHz
470MHz
430兆赫
195MHz
11MHz
230兆赫
70MHz
215兆赫
2MHz
6GHz
142MHz
155兆赫
96兆赫
45MHz
280兆赫
325兆赫
90MHz
5MHz
100MHz
14MHz
125MHz
400MHz
700MHz
2.5兆赫
更多
晶体管类别:
2 NPN达林顿（双）
NPN-Trilinton，齐纳钳
即插即用
NPN-发射极开关双极
NPN-达林顿
NPN-雪崩模式
PNP+二极管（隔离）
PNP-达林顿
NPN+齐纳
NPN
NPN+齐纳二极管（隔离）
NPN+二极管（隔离）
更多

当前"分立双极结型晶体管"共 15276 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
MMBT589 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：310mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@500mA,2V	¥0.35582	11380	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.35582	立即购买加入购物车
2SC2712-Y 萨科微 (Slkor)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@2mA,6V	¥0.09866	11950	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.09866	立即购买加入购物车
CZT31C 江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥1.31946	10355	2-3 工作日	- + 合计: ¥1.31946	立即购买加入购物车
2SD1899 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@600mA,2V M档(100~200)	¥1.40617	2693	2-3 工作日	- + 合计: ¥1.40617	立即购买加入购物车
S9013-TA 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：144@50mA,1V H档(144~202)	¥0.23963	5860	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.23963	立即购买加入购物车
FHT8550G 风华 (FH)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：200mW	¥0.13777	11980	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.13777	立即购买加入购物车
LMBT2222ATT1G 乐山无线电 (LRC)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：40@500mA,10V	¥0.09271	440	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.09271	立即购买加入购物车
MMBTA92Q-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	暂无	¥0.45522	4040	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.45522	立即购买加入购物车
2SD1664 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：180@100mA,3V 180~390	¥0.36225	8580	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.36225	立即购买加入购物车
BC846B(1B)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V	¥0.11114	9100	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.11114	立即购买加入购物车
UMY1N 江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥0.39885	11530	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.39885	立即购买加入购物车
2SC4081 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@1mA,6V 120－270	¥0.18694	6520	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.18694	立即购买加入购物车
MMST3906 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW	¥0.17158	7260	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.17158	立即购买加入购物车
BCP51-16 萨科微 (Slkor)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：1.5W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V	¥0.25350	10	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.25350	立即购买加入购物车
2SA1162 富信 (FOSAN)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,6V 200~400	¥0.15959	9000	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.15959	立即购买加入购物车
2SC4116-GR(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	暂无	¥0.49165	10695	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.49165	立即购买加入购物车
2SD1802 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@100mA,2V R档100-200	¥1.31862	9795	2-3 工作日	- + 合计: ¥1.31862	立即购买加入购物车
KTC3875S-Y-RTK/P	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@2mA,6V	¥0.22603	3540	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.22603	立即购买加入购物车
MMST5401 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：150V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,5V 100~300	¥0.19575	7900	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.19575	立即购买加入购物车
2SD1760 江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.5W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@500mA,3V Q档	¥1.20323	9525	2-3 工作日	- + 合计: ¥1.20323	立即购买加入购物车

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