什么是分立双极结型晶体管:
分立双极结型晶体管 (BJT) 通常用于构建音频、无线电和其他应用中的模拟信号放大功能。作为首批批量生产的半导体器件之一，其特性不如其他器件类型适用于涉及高频开关和高电流或高电压操作的应用，但它们仍然是需要模拟信号再现应用的首选，拥有最小的噪声和失真。
最大集电极电流 (Ic):
- 10A
- 900 mA
- 70 mA
- 42 A
- 16 A
- 1.5 A
- 6.6 A
- 6.2 A
- 800 mA
- 5 A
- 50 mA
- 9 A
- 100 A
- 500 µA
- 5.8 A
- 72 A
- 5 mA
- 700 mA
- 4.3 A
- 30 A
- 4.7 A
- 1A
- 2.7A
- 400毫安
- 30毫安
- 3.5 A
- 24A
- 12A
- 60 A
- 300毫安
- 2A
- 6.5 A
- 150毫安
- 500 mA
- 225毫安
- 8 A
- 120 A
- 5.3 A
- 1.2 A
- 2.A.
- 5.7 A
- 65 mA
- 4.4 A
- 4.8 A
- 3A
- 100A.
- 100毫安
- 10毫安
- 45 A
- 10A.
- 1.25 A
- 3.2 A
- 26A
- 3毫安
- 200 A
- 40 A
- 400 nA
- 2.5 A
- 4A
- 4.9 A
- 14 A
- 1.7 A
- 60 mA
- 7 A
- 20毫安
- 750 mA
- 5.2 A
- 15A
- 5.6 A
- 1.3 A
- 25毫安
- 4.1 A
- 5.25 A
- 4.5 A
- 25 A
- 80 mA
- 3.7 A
- 120毫安
- 67 A
- 2.2 A
- 20A
- 7.5 A
- 250A.
- 17 A
- 200毫安
- 1.8 A
- 6 A
- 32 A
- 5.1 A
- 5.5 A
- 1毫安
- 50 A
- 200A.
- 4.2 A
- 250毫安
- 4.6 A
- 3.8 A
- 18A
- 1.A.
- 600 mA
更多
集电极击穿电压:
- 325伏
- 1200伏
- 50 V
- 200伏
- 16伏
- 24伏
- 36伏
- 75 V
- 115伏
- 17.5伏
- 12伏
- 20伏
- 32伏
- 40伏
- 170伏
- 150伏
- 130伏
- 90 V
- 2200伏
- 380伏
- 1100伏
- 100伏
- 65 V
- 25伏
- 225伏
- 7 V
- 45伏
- 375 V
- 80 V
- 260伏
- 175伏
- 450伏
- 400伏
- 800 V
- 550 V
- 440伏
- 72 V
- 18伏
- 125伏
- 55 V
- 22伏
- 10伏
- 180伏
- 30伏
- 160伏
- 140伏
- 70 V
- 900 V
- 650 V
- 120伏
- 750 V
- 285伏
- 350伏
- 1000伏
- 370伏
- 425伏
- 600 V
- 300伏
- 850 V
- 465伏
- 275伏
- 110伏
- 60 V
- 15伏
- 500 V
- 525 V
- 6 V
- 35伏
- 11伏
- 700 V
- 31伏
- 250伏
- 185伏
- 230伏
- 460伏
- 480伏
更多
最大功率:
- 150 mW
- 25瓦
- 100瓦
- 725 mW
- 2.1瓦
- 180瓦
- 50 W
- 290毫瓦
- 1.25瓦
- 310 mW
- 1.4瓦
- 740 mW
- 350毫瓦
- 640 mW
- 14瓦
- 125瓦
- 1 W
- 30瓦
- 250瓦
- 65 W
- 80 W
- 800 mW
- 1.5瓦
- 385毫瓦
- 320毫瓦
- 100 mW
- 15瓦
- 1.75瓦
- 700 mW
- 420毫瓦
- 130瓦
- 1.35瓦
- 125毫瓦
- 1.6瓦
- 325毫瓦
- 200瓦
- 115瓦
- 60 W
- 200毫瓦
- 450毫瓦
- 265毫瓦
- 3.9瓦
- 227毫瓦
- 2.4瓦
- 875 mW
- 10 W
- 120瓦
- 1.45瓦
- 750 mW
- 480毫瓦
- 33瓦
- 20.8瓦
- 75 W
- 160瓦
- 250毫瓦
- 400毫瓦
- 2.25瓦
- 90 W
- 2.5瓦
- 1.8瓦
- 650 mW
- 230瓦
- 1.1瓦
- 950毫瓦
- 3 W
- 430毫瓦
- 7 W
- 1.58瓦
- 360毫瓦
- 500 mW
- 1.67瓦
- 110瓦
- 35瓦
- 1.2瓦
- 70 W
- 460毫瓦
- 300瓦
- 150瓦
- 1.15瓦
- 36 W
- 600 mW
- 330毫瓦
- 806 mW
- 175瓦
- 1.56瓦
- 220瓦
- 490毫瓦
- 1.3瓦
- 2 W
- 730 mW
- 40瓦
- 6 W
- 625 mW
- 900 mW
- 380毫瓦
- 12.5瓦
- 225毫瓦
- 4.2瓦
- 435 mW
- 300毫瓦
更多
制造厂商:
- 英飞凌 (Infineon)
- 鲁光 (LGE)
- 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
- 恩智浦 (NXP)
- 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 安盛美 (onsemi)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 韦尔 (WILLSEMI)
- 安谱隆 (Ampleon)
- 中央半导体 (Central)
- 合科泰 (Hottech)
- 永裕泰 (YONGYUTAI)
- 马康 (MACOM)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 哈利斯 (HARRIS)
- 安世半导体 (Nexperia)
- 治润 (ZRE)
- 摩托罗拉 (MOTOROLA)
- 东芝 (Toshiba)
- 扬杰 (YANGJIE)
- 深圳质超 (SPTECH)
- 强茂 (Panjit)
- 伯恩半导体 (BORN)
- 微芯 (Microchip)
- 欧普泰克 (TT)
- 美国柏恩 (Bourns)
- 科信 (KEXIN)
- 静芯微 (ElecSuper)
- 美国微芯 (MICROCHIP)
- 风华 (FH)
- 时科 (SHIKUES)
- NTE电子 (NTE)
- 罗姆 (Rohm)
- 佑风微 (YFW)
- DComponents (DComponents)
- 达尔科技 (Diodes rporated)
- KEC公司 (KEC)
- 德昌 (TC)
- 威恩半导体有限公司 (WeEn)
- 富芯森美 (FUXINSEMI)
- 德州仪器 (Texas)
- 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 平晶微 (PJSEMI)
- 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
- 固态公司 (Solid State )
- 杰盛微 (JSMSEMI)
- 视差 (Parallax)
- 蓝箭 (BLUE ROCKET)
- 模拟器件公司 (Analog)
- 瑞能 (WeEn)
- 安世 (Nexperia)
- 三垦 (Allegro MicroSystems)
- 江苏长电/长晶 (CJ)
- 顺烨 (SY)
- 罗切斯特电子 (Rochester)
- 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
- 萨科微 (Slkor)
- 美森科 (MSKSEMI)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 深圳辰达行电子有限公司 (MDD)
- 富信 (FOSAN)
- 乐山无线电 (LRC)
- 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 广东友台半导体 (UMW)
- 微型商业组件 (Micro)
- 固得沃克 (GOODWORK)
- 佳尔科工业电子 (Galco)
更多
供应商设备包装:
- TO-236
- SC-70（SOT323）
- 6-TSOP
- SOT-32 (TO-126)
- SOT-66
- X1-DFN1006-3
- SMT3
- 6-TSSOP
- TO-126N
- DPAK (TO-263)
- TO-39 (TO-205AD)
- TO-126
- Mini3-G1
- EMT3
- SOT-23-3
- TO-220ML
- 3-NMP
- SOT-223
- TO-39
- SMini3-F2
- SOT23-3 (TO-236)
- TO-218
- X2-DFN1006-3
- TO-3
- TO-204 (TO-3)
- SOT-523
- TO-126-3
- TO-252AA
- 3-CP
- SOT-89
- TO-220-3
- SC-70-3（SOT323）
- 3-WDFN（2x2）
- TO-220
- TO-247-3
- SOT-89-3
- MPT3
- TP-FA
- DFN2020D-3
- USM
- TO-92
- SOT-883
- SOT-923F
- SOT-23F
- TO-92-3
- SOT-223 (TO-261)
- VMT3
- 3英里/小时
- SOD-323
- PowerDI5.
- SOT-32-3
- SSSMini3-F1
- X2-DFN0806-3
- SSSMini3-F2
- SOT-23
- DPAK
- SST3
- PG-SOT89
- SOT-26
- TO-220F-3
- SOT-223-3
- SOT-223-4
- E-Line (TO-92 compatible)
- D-Pak
- TO-220F-3 (Y-Forming)
- TO-220AB
- TO-236AB
- DFN1010D-3
- PCP
- 3mcph
- 3-X2-DFN0806
- SC-70
- 3-HUSON（2x2）
- SOT-723
- TO-92S
- UMT3
- PG-SOT323-3
- CST3
- Ceramic SMD
- TO-264-3
- MT-2-A1
- PG-SOT23
- TO-264
- DFN1006B-3
- UFM
- TO-220F-3FS
- PG-SOT23-3
- SOT-23-3 (TO-236)
- TO-92 (TO-226)
- DFN2020B-3
- SSM
- PG-SOT23-3-11
- SC-59
- TO-252-3
- TSMT6（SC-95）
- TO-92AP
- SOT-32
- SOT-323
- SC-75，SOT-416
- UMT3F
更多
特征频率:
- 116MHz
- 145兆赫
- 500MHz
- 10MHz
- 340MHz
- 450兆赫
- 85MHz
- 690MHz
- 240MHz
- 13MHz
- 160MHz
- 390兆赫
- 8MHz
- 420MHz
- 360兆赫
- 440MHz
- 175兆赫
- 140MHz
- 110兆赫
- 30MHz
- 600MHz
- 800千赫兹
- 300MHz
- 260MHz
- 285兆赫
- 65MHz
- 3MHz
- 220兆赫
- 33MHz
- 190兆赫
- 205兆赫
- 1.5GHz
- 200MHz
- 165兆赫
- 25兆赫
- 104兆赫
- 60MHz
- 540MHz
- 6MHz
- 15MHz
- 38MHz
- 2.5GHz
- 290MHz
- 380兆赫
- 176兆赫
- 520MHz
- 32MHz
- 115兆赫
- 80MHz
- 18MHz
- 350MHz
- 35MHz
- 9MHz
- 180MHz
- 75MHz
- 330MHz
- 185兆赫
- 3.2GHz
- 250MHz
- 105兆赫
- 170MHz
- 4MHz
- 20MHz
- 210兆赫
- 55MHz
- 270MHz
- 320兆赫
- 200千赫兹
- 2.7GHz
- 150MHz
- 135兆赫
- 40MHz
- 130MHz
- 12MHz
- 1.5MHz
- 50MHz
- 120MHz
- 470MHz
- 430兆赫
- 195MHz
- 11MHz
- 230兆赫
- 70MHz
- 215兆赫
- 2MHz
- 6GHz
- 142MHz
- 155兆赫
- 96兆赫
- 45MHz
- 280兆赫
- 325兆赫
- 90MHz
- 5MHz
- 100MHz
- 14MHz
- 125MHz
- 400MHz
- 700MHz
- 2.5兆赫
更多
晶体管类别:
- 2 NPN达林顿（双）
- NPN-Trilinton，齐纳钳
- 即插即用
- NPN-发射极开关双极
- NPN-达林顿
- NPN-雪崩模式
- PNP+二极管（隔离）
- PNP-达林顿
- NPN+齐纳
- NPN
- NPN+齐纳二极管（隔离）
- NPN+二极管（隔离）
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | ¥0.07605 | 23959 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07605 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：100V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：250mW | ¥0.28403 | 4220 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28403 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW H档(200-350) | ¥0.12243 | 28250 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12243 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V | ¥0.07098 | 2390 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07098 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V | ¥0.06881 | 2055 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06881 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：140V 集电极电流(Ic)：4A 功率(Pd)：1.6W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1A,5V | ¥0.71059 | 40910 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.71059 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V | ¥0.34802 | 19100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34802 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：20V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：225mW | ¥0.10338 | 5000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10338 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.25W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@1A,2V 160~320 | ¥0.73181 | 5555 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.73181 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@10mA,5V 120-180 1G6 | ¥0.37750 | 3960 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.37750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：500mA | ¥0.12675 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12675 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：70V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@1A,2V Y档 160-320 | ¥0.56195 | 2330 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.56195 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：220@2mA,5V 3F 220~475 | ¥0.15885 | 8440 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15885 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：180@500mA,3V R档180-390 DF | ¥0.45015 | 26520 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.45015 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：225mW | ¥0.10070 | 31950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10070 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：200mW 丝印Y21 200-350 | ¥0.14450 | 5450 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14450 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V H档 | ¥0.11009 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11009 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：900mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,5V (100~200) | ¥0.62177 | 980 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.62177 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：120V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@100mA,5V Y档120-240 | ¥0.64030 | 25015 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.64030 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：2W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@150mA,5V | ¥0.91968 | 30080 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.91968 | 立即购买 加入购物车 |