品牌介绍
公司可提供完整的分立器件解决方案，产品种类囊括各类整流管、晶体管、场效应管（MOS）、低压差线性稳压器（LDO）等；公司拥有近万平米制造厂房，引进大批DISCO、ASM、PowerTech等全新自动化生产和测试设备，持续为客户提供优品质、高可靠性产品。
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 1.2 A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 220兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.48672 | 33 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.48672 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：650mΩ@10V,1A | ¥0.39588 | 24310 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.39588 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：3.1A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,3.1A | ¥0.38406 | 31570 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38406 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,100mA | ¥0.16168 | 15660 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16168 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@10V,2A | ¥0.36371 | 15140 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36371 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4.1A | ¥0.29314 | 17750 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.29314 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@4.5V,3A | ¥0.19957 | 17640 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19957 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,5.8A | ¥0.32064 | 11860 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32064 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@50mA,1V | ¥0.05722 | 205 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05722 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：100V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：250mW | ¥0.28403 | 4220 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28403 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V | ¥0.10528 | 23400 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10528 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V | ¥0.11814 | 19750 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11814 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW | ¥0.09207 | 8000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09207 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V | ¥0.09697 | 7700 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09697 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：10W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@1A,2V | ¥0.38321 | 3950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38321 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.09294 | 6650 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09294 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V | ¥0.07953 | 5950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07953 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 应用功能：USB充电芯片 | ¥0.37644 | 2650 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.37644 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥0.76930 | 7490 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.76930 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥0.54581 | 4470 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.54581 | 立即购买 加入购物车 |