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PJM10H01PSA
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PJM10H01PSA

  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):1A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,1A
  • 品牌: 平晶微 (PJSEMI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.39587 0.39587
10+ 0.32020 3.20209
30+ 0.28237 8.47137
300+ 0.24213 72.64110
600+ 0.21943 131.66280
900+ 0.20808 187.28010
  • 库存: 24310
  • 单价: ¥0.39588
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.40
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规格参数

  • 类型 P沟道
  • 漏源电压(Vdss) 100V
  • 连续漏极电流(Id) 1A
  • 功率(Pd) 500mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 650mΩ@10V,1A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 3.3nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds) -
  • 反向传输电容(Crss@Vds) -
  • 工作温度 +150℃@(Tj)
PJM10H01PSA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PJM10H01PSA 由 平晶微 (PJSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PJM10H01PSA价格参考¥0.395875,你可以下载 PJM10H01PSA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PJM10H01PSA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

平晶微 (PJSEMI)

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