MMBT9013H
- 描述:晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@50mA,1V
- 品牌: 平晶微 (PJSEMI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.05721 | 0.05721 |
- 库存: 205
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-
数量:
- +
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规格参数
- 晶体管类型 NPN
- 集射极击穿电压(Vceo) 30V
- 集电极电流(Ic) 500mA
- 功率(Pd) 200mW
- 集电极截止电流(Icbo) 100nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 600mV@500mA,50mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 160@50mA,1V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | MMBD4148,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SWITCH 75V 0.215A TO236AB | ¥0.14486 |
MMBT9013H所属分类：分立双极结型晶体管，MMBT9013H 由 平晶微 (PJSEMI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBT9013H价格参考￥0.057219，你可以下载 MMBT9013H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBT9013H规格参数、现货库存、封装信息等信息！
平晶微 (PJSEMI)
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