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品牌介绍

公司可提供完整的分立器件解决方案,产品种类囊括各类整流管、晶体管、场效应管(MOS)、低压差线性稳压器(LDO)等;公司拥有近万平米制造厂房,引进大批DISCO、ASM、PowerTech等全新自动化生产和测试设备,持续为客户提供优品质、高可靠性产品。

英文全称: PJSEMI

中文全称: 平晶微

英文简称: PJSEMI

品牌地址: http://www.pingjingsemi.com

久芯自营
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品牌型号
描述
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BCV27
BCV27
晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 1.2 A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 220兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.48672

33

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.48672

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MMBT9013H
MMBT9013H
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@50mA,1V

¥0.05722

205

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.05722

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FMMT493
FMMT493
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):250mW

¥0.28403

4220

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.28403

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MMBT8050D
MMBT8050D
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V

¥0.10528

23400

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10528

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MMBT8050D(1.5A)
MMBT8050D(1.5A)
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V

¥0.11814

19750

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11814

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MMBT9013G
MMBT9013G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):200mW

¥0.09207

8000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09207

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MMBT8550D
MMBT8550D
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V

¥0.09697

7700

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09697

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2SD882SQ-P
2SD882SQ-P
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):10W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V

¥0.38321

3950

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.38321

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MMBTSC3875Y
MMBTSC3875Y
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):150mW

¥0.09294

6650

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09294

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MMBT9015C
MMBT9015C
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V

¥0.07953

5950

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07953

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