公司可提供完整的分立器件解决方案,产品种类囊括各类整流管、晶体管、场效应管(MOS)、低压差线性稳压器(LDO)等;公司拥有近万平米制造厂房,引进大批DISCO、ASM、PowerTech等全新自动化生产和测试设备,持续为客户提供优品质、高可靠性产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 1.2 A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 220兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.48672 | 33 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.48672 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@50mA,1V | ¥0.05722 | 205 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05722 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):250mW | ¥0.28403 | 4220 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28403 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V | ¥0.10528 | 23400 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10528 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V | ¥0.11814 | 19750 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11814 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):200mW | ¥0.09207 | 8000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09207 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V | ¥0.09697 | 7700 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09697 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):10W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V | ¥0.38321 | 3950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38321 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):150mW | ¥0.09294 | 6650 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09294 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V | ¥0.07953 | 5950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07953 | 立即购买 加入购物车 |