2SD882SQ-P
- 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):10W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V
- 品牌: 平晶微 (PJSEMI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.38320 | 0.38320 |
10+ | 0.31486 | 3.14863 |
30+ | 0.28069 | 8.42073 |
100+ | 0.21870 | 21.87070 |
- 库存: 3950
- 单价: ¥0.38321
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.38
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规格参数
- 晶体管类型 NPN
- 集射极击穿电压(Vceo) 30V
- 集电极电流(Ic) 3A
- 功率(Pd) 10W
- 集电极截止电流(Icbo) 1uA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@2A,200mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 160@1A,2V
- 特征频率(fT) 90MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
2SD882SQ-P所属分类:分立双极结型晶体管,2SD882SQ-P 由 平晶微 (PJSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2SD882SQ-P价格参考¥0.383207,你可以下载 2SD882SQ-P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2SD882SQ-P规格参数、现货库存、封装信息等信息!
平晶微 (PJSEMI)
公司可提供完整的分立器件解决方案,产品种类囊括各类整流管、晶体管、场效应管(MOS)、低压差线性稳压器(LDO)等;公司拥有近万平米制造厂房,引进大批DISCO、ASM、PowerTech等全新自动化生...