MMBT8550D
- 描述:晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V
- 品牌: 平晶微 (PJSEMI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.09696 | 0.09696 |
| 10+ | 0.07789 | 0.77890 |
| 60+ | 0.06061 | 3.63696 |
| 120+ | 0.05425 | 6.51084 |
- 库存: 7700
- 单价: ¥0.09697
-
数量:
- +
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规格参数
- 晶体管类型 PNP
- 集射极击穿电压(Vceo) 25V
- 集电极电流(Ic) 600mA
- 功率(Pd) 350mW
- 集电极截止电流(Icbo) 100nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@500mA,50mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 160@100mA,1V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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MMBT8550D所属分类：分立双极结型晶体管，MMBT8550D 由 平晶微 (PJSEMI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBT8550D价格参考￥0.096968，你可以下载 MMBT8550D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBT8550D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
平晶微 (PJSEMI)
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