MMBT8050D
- 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V
- 品牌: 平晶微 (PJSEMI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.07236 | 0.07236 |
30+ | 0.06347 | 1.90431 |
100+ | 0.05569 | 5.56910 |
500+ | 0.04713 | 23.56850 |
1000+ | 0.04284 | 42.84900 |
- 库存: 426
- 单价: ¥0.10528
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数量:
- +
- 总计: ¥0.07
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规格参数
- 晶体管类型 NPN
- 集射极击穿电压(Vceo) 25V
- 集电极电流(Ic) 600mA
- 功率(Pd) 350mW
- 集电极截止电流(Icbo) 100nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@500mA,50mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 160@100mA,1V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
MMBT8050D所属分类:分立双极结型晶体管,MMBT8050D 由 平晶微 (PJSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMBT8050D价格参考¥0.105283,你可以下载 MMBT8050D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMBT8050D规格参数、现货库存、封装信息等信息!
平晶微 (PJSEMI)
公司可提供完整的分立器件解决方案,产品种类囊括各类整流管、晶体管、场效应管(MOS)、低压差线性稳压器(LDO)等;公司拥有近万平米制造厂房,引进大批DISCO、ASM、PowerTech等全新自动化生...