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MMBT8050D
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MMBT8050D

  • 描述:晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V
  • 品牌: 平晶微 (PJSEMI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.07236 0.07236
30+ 0.06347 1.90431
100+ 0.05569 5.56910
500+ 0.04713 23.56850
1000+ 0.04284 42.84900
  • 库存: 426
  • 单价: ¥0.10528
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.07
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规格参数

  • 晶体管类型 NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo) 25V
  • 集电极电流(Ic) 600mA
  • 功率(Pd) 350mW
  • 集电极截止电流(Icbo) 100nA
  • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@500mA,50mA
  • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 160@100mA,1V
  • 特征频率(fT) 100MHz
  • 工作温度 +150℃@(Tj)
MMBT8050D所属分类:分立双极结型晶体管,MMBT8050D 由 平晶微 (PJSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMBT8050D价格参考¥0.105283,你可以下载 MMBT8050D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMBT8050D规格参数、现货库存、封装信息等信息!

平晶微 (PJSEMI)

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