【单个预偏置双极晶体管厂家_单个预偏置双极晶体管型号采购】|第129页-久芯网

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电子元器件分类
分立半导体
晶体管
单个预偏置双极晶体管

什么是单个预偏置双极晶体管:

预偏置双极晶体管具有内部电阻，旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量，从而降低了项目成本。

最大集电极电流 (Ic):
300毫安
70 mA
700 mA
3A
1A
400毫安
500 mA
200毫安
60 mA
800 mA
80 mA
50 mA
20毫安
100毫安
30毫安
600 mA
更多
集电极击穿电压:
20伏
40伏
30伏
80 V
50 V
60 V
15伏
12伏
更多
最大功率:
150 mW
100 mW
235毫瓦
254毫瓦
230毫瓦
250毫瓦
400毫瓦
310 mW
125毫瓦
350毫瓦
120毫瓦
330毫瓦
260毫瓦
325毫瓦
720 mW
1 W
200毫瓦
246毫瓦
2 W
3 W
202毫瓦
280毫瓦
50 mW
1.5瓦
300毫瓦
338 mW
360毫瓦
500 mW
340毫瓦
320毫瓦
更多
制造厂商:
英飞凌 (Infineon)
松下电子元件 (Panasonic)
安世 (Nexperia)
罗姆 (Rohm)
江苏长电/长晶 (CJ)
扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
安世半导体 (Nexperia)
DComponents (DComponents)
达尔科技 (Diodes rporated)
恩智浦 (NXP)
东芝 (Toshiba)
扬杰 (YANGJIE)
台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
安盛美 (onsemi)
瑞特隆 (Rectron)
瑞萨电子 (Renesas)
松下 (Panasonic)
德欧泰克半导体 (Diotec)
微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
SMini3-G1
SMT3；MPAK
SOT-346
SC-70（SOT323）
SSSMini3-F1
MINI3-G3-B
SSSMini3-F2
SOT-23
SSSMini3-F2-B
SPT
SST3
SMini3-F2-B
X1-DFN1006-3
SMT3
SMINI6-G1
Mini3-G1
SSMini5-F2
EMT3
EMT5
SOT-23-3
SOT-23-3L
EMT6
SSMini3-F3-B
SC-59-3
ML3-N2
DFN1412D-3
MiniP3-F1
TO-236AB
DFN1010D-3
SMini3-F2
EMT3F（SOT-416FL）
SC-70
NS-B1
SOT-523
SOT-723
SC-89-3
SC-75
TO-92S
PG-SOT323-3
UMT3
CST3
SC-70-3（SOT323）
ML4-N1
PG-SOT23
DFN1006B-3
SOT-1123
VESM
dfn110d-3
SSMini3-F1
SSMini3-F3
MPT3
SOT-23-3 (TO-236)
DFN1006-3
SSM
PG-SOT23-3-11
SC-59
S-Mini
SOT-363
SOT-523F
SOT-323
SOT-883
SOT-23F
SC-75，SOT-416
UMT3F
TO-92-3
VMT3
SOT-223 (TO-261)
更多
特征频率:
30兆赫
150兆赫
100兆赫
35兆赫
160兆赫
110兆赫
140兆赫
130兆赫
250兆赫
55 MHz
80 MHz
260兆赫
230兆赫
200兆赫
210兆赫
300兆赫
225兆赫
180兆赫
170兆赫
190兆赫
更多
晶体管类别:
PNP-预偏
NPN-预偏置
NPN-预偏置+二极管
PNP-预偏置+二极管

当前"单个预偏置双极晶体管"共 3359 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
RN1309(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: SC-70	¥1.95558	893	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.95558	添加到BOM 立即询价
RN1403,LF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 250兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥0.28255	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥847.63800	添加到BOM 立即询价
DDTD142JU-7 达尔科技 (Diodes rporated)	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	¥2.96959	3	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.96959	添加到BOM 立即询价
UNR212X00L 松下电子元件 (Panasonic)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: Mini3-G1	¥1.35250	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.35250	添加到BOM 立即询价
MUN5231T1G 安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦供应商设备包装: SC-70-3（SOT323）	¥1.73830	12878	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.73830	添加到BOM 立即询价
RN2307(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SC-70	¥1.95558	306	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.95558	添加到BOM 立即询价
RN1404,LF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 250兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥0.28255	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥847.63800	添加到BOM 立即询价
DDTC124TUA-7 达尔科技 (Diodes rporated)	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	¥2.96959	3909	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.96959	添加到BOM 立即询价
UNR411200A 松下电子元件 (Panasonic)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: NS-B1	¥0.99100	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥0.99100	添加到BOM 立即询价
RN1113(T5L,F,T) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: SSM	¥0.30022	3000	5-7 工作日	- + 合计: ¥900.65400	添加到BOM 立即询价
RN2302,LF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SC-70	¥0.81144	200	2-3 工作日	- + 合计: ¥2,434.33200	立即购买加入购物车
RN2305(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SC-70	¥1.95558	107	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.95558	添加到BOM 立即询价
DDTC124TE-7 达尔科技 (Diodes rporated)	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523	¥2.67987	5631	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.67987	添加到BOM 立即询价
UNR411300A 松下电子元件 (Panasonic)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: NS-B1	¥0.95380	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥0.95380	添加到BOM 立即询价
SMUN2232T1G 安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦供应商设备包装: SC-59	¥0.24266	3000	2-3 工作日	- + 合计: ¥0.24266	立即购买加入购物车
RN2401,LF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥0.48600	500	2-3 工作日	- + 合计: ¥1,457.99700	立即购买加入购物车
DTA114TU3T106 罗姆 (Rohm)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 250兆赫供应商设备包装: UMT3	¥2.18092	100	2-3 工作日	- + 合计: ¥2.18092	立即购买加入购物车
DDTC144GUA-7-F 达尔科技 (Diodes rporated)	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	¥0.33375	6000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1,001.25900	添加到BOM 立即询价
RN2402,LF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥0.28255	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥847.63800	添加到BOM 立即询价
RN2110,LF(CT 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SSM	¥1.66587	4475	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.66587	添加到BOM 立即询价

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