预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | ¥2.67987 | 5579 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 338 mW 供应商设备包装: SC-59 | ¥0.31782 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥953.45400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 310 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.28841 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,884.12000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥2.10044 | 545 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | ¥0.31633 | 870 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31633 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80 MHz 供应商设备包装: SSSMini3-F1 | ¥1.89764 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.89764 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 310 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.28841 | 740000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,884.12000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) | ¥0.55935 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.55935 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥2.10044 | 115 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | ¥2.96959 | 1438 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥1.81073 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) | ¥1.80053 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.80053 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523 | ¥1.11686 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.11686 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥2.24530 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥2.31773 | 4115 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.31773 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST | ¥1.59344 | 2897 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN | ¥2.96959 | 39 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523 | ¥2.05698 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.05698 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SST3 | ¥2.31773 | 2785 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.31773 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: Mini3-G1 | ¥1.30372 | 31720 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 |