预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B | ¥3.11445 | 685 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-346 | ¥1.46727 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.46727 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B | ¥3.11445 | 322 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B | ¥3.11445 | 269 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 260兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥1.11914 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.11914 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B | ¥3.25931 | 631 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 120毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT5 | ¥1.61130 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.61130 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.27892 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.27892 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B | ¥3.25931 | 475 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: MINI3-G3-B | ¥2.11493 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.11493 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B | ¥3.25931 | 361 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B | ¥0.82998 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.82998 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B | ¥3.25931 | 120 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B | ¥1.47077 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.47077 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B | ¥1.68035 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.68035 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥1.30807 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.30807 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SSSMini3-F2-B | ¥2.14390 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.14390 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.35180 | 2810 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35180 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: SMini3-F2-B | ¥0.27552 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.27552 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥3.62145 | 547 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.62145 | 添加到BOM 立即询价 |