特色
- 标准数字晶体管
- 内置偏置电阻器
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
DTC614TUT106
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: UMT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.35180 | 0.35180 |
| 10+ | 0.30945 | 3.09453 |
| 30+ | 0.30276 | 9.08304 |
| 100+ | 0.29273 | 29.27360 |
- 库存: 2810
- 单价: ¥0.35180
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.35
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规格参数
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN-预偏置
- 基极电阻 (R1) 10千欧姆
- 最大功率 200毫瓦
- 安装类别 表面安装
- 最大集电极电流 (Ic) 600 mA
- 包装/外壳 SC-70，SOT-323
- 发射极电阻 (R2) -
- 特征频率 150兆赫
- 集电极最大截止电流 500nA (ICBO)
- 供应商设备包装 UMT3
- 集电极击穿电压 20伏
- 最小直流增益 820 @ 50毫安, 5V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 150mV@2.5毫安，50毫安
DTC614TUT106 产品详情
这些是ROHM在世界上首次发明和销售的“数字晶体管”的标准产品。
DTC614TUT106 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DTC114EET1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75 | ¥0.28972 |
 | DTC124EET1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN 50V 100MA 22/22K SC-75 | ¥0.14486 |
 | DTC124XM3T5G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723 | ¥0.21729 |
 | DTC143ZCA | 扬杰 (YANGJIE) | 暂无 | ¥0.16876 |
| DTC114EE | 扬杰 (YANGJIE) | 暂无 | ¥0.12179 |
| DTC143EE-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 暂无 | ¥0.13558 |
| DTC144EE | 扬杰 (YANGJIE) | 暂无 | ¥0.12543 |
| DTC143TE-TP | 微型商业组件 (Micro) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@1mA,5V | ¥0.31845 |
| DTC143ZM | 台舟 (TECH PUBLIC) | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：100mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.17137 |
 | DTC143ECA | 扬杰 (YANGJIE) | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.19773 |
DTC614TUT106所属分类：单个预偏置双极晶体管，DTC614TUT106 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DTC614TUT106价格参考￥0.351802，你可以下载 DTC614TUT106中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DTC614TUT106规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
